半导体BOE中，BOE是Buffered Oxide Etchant的缩写，中文名为缓冲氧化物刻蚀液。它是一种由氢氟酸（HF）和氟化铵（NH₄F）按特定比例混合而成的化学溶液，主要用于半导体制造过程中对二氧化硅（SiO₂）等材料的湿法刻蚀。以下是关于BOE的详细介绍：
1. 成分与作用
主要成分：
氢氟酸（HF）：提供氟离子（F⁻），用于腐蚀二氧化硅（反应式：SiO₂ + 4HF → SiF₄↑ + 2H₂O）。
氟化铵（NH₄F）：作为缓冲剂，调节溶液中的氢离子浓度（[H⁺]），控制反应速率，使刻蚀更均匀。
常见配比：
6:1 BOE：49% HF水溶液与40% NH₄F水溶液的体积比为1:6，刻蚀速率约10 nm/s，适用于精细刻蚀。
10:1或50:1 BOE：降低HF浓度，减缓刻蚀速率，用于更薄或敏感材料的处理。
2. 用途
去除二氧化硅层：
在半导体制造中，BOE用于去除晶圆表面的自然氧化层（如SiO₂）或沉积的氧化膜，为后续工艺（如掺杂、金属化）做准备。
刻蚀氮化硅（Si₃N₄）：
BOE也可用于刻蚀氮化硅，但其速率较慢，适合需要高选择性的场景。
表面处理：
通过调整BOE浓度和刻蚀时间，可精确控制材料去除量，确保器件性能的一致性。
3. 使用注意事项
腐蚀性：
HF具有强腐蚀性，需在通风柜中操作，避免接触皮肤或眼睛。若不慎接触，应立即用大量清水冲洗并就医。
废液处理：
BOE废液需中和处理（如加入石灰或碱性溶液），确保符合环保要求后再排放。
设备兼容性：
长期使用BOE可能腐蚀塑料或金属容器，建议使用耐腐蚀材质（如聚四氟乙烯）的储存设备。返回搜狐，查看更多